測(cè)量時(shí)間

分布電容充電時(shí)間達(dá)數(shù)十分鐘（例：電纜測(cè)試中初始阻值偏低，60s后穩(wěn)定）

設(shè)定定時(shí)測(cè)量（如GB/T 3048規(guī)定電纜測(cè)量時(shí)間60s）。

重復(fù)測(cè)量

殘余電荷疊加（導(dǎo)致二次測(cè)量阻值↑30%以上）

測(cè)量為基準(zhǔn)，重復(fù)測(cè)試需放電≥30分鐘。

電壓選擇

高電壓激活材料漏電流（1000V比100V測(cè)值低50%）

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)選擇電壓（如IEC 60243規(guī)定絕緣材料測(cè)試電壓梯度1kV/mm）。

溫度波動(dòng)

半導(dǎo)體反向漏電流隨溫度↑8℃翻倍（硅材料特征）。

恒溫實(shí)驗(yàn)室（±1℃），數(shù)據(jù)換算至標(biāo)稱溫度（如25℃）。

濕度干擾

表面吸濕（濕度↑60%→表面電阻↓100倍）。

預(yù)干燥處理（50℃烘箱2h）+實(shí)時(shí)濕度監(jiān)控。

環(huán)境電磁干擾

電磁場(chǎng)感應(yīng)電流（電焊機(jī)啟動(dòng)時(shí)噪聲電流達(dá)10?1?A）

雙重屏蔽室、低噪聲同軸電纜（屏蔽層接地阻抗＜1Ω）。